| 专利号 | 2021115164235 | 申请日 | 2021-12-09 | 专利名称 | 一种在4H-SiC衬底上外延生长六英寸以上均匀石墨烯的方法 |
| 授权日 | 2023-05-09 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 陈秀芳;邵辰;徐现刚;李晓蒙;郭枫林 |
| 主分类号 | C30B25/18 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在4H‑SiC衬底上外延生长六英寸以上均匀石墨烯的方法，该方法采用大直径炉腔高温炉和在坩埚的外围设置合理结构的保温隔热层，双层条件实现了石墨烯生长过程中的径向温场为平温场，通过平温场和控制生长温度、升降温速率，得到了高质量、高均匀、布满整个硅面表面的直径六英寸以上的石墨烯材料。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
