| 专利号 | 2023102310834 | 申请日 | 2023-03-13 | 专利名称 | 一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及制备方法 |
| 授权日 | 2023-06-16 | 专利权人 | 山东科技大学 | 发明人 | 张雪;郭素敏;李洪宇;张宇;袁一博 |
| 主分类号 | H01L21/383 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及制备方法，属于半导体材料及器件技术领域，晶体管自下而上依次包括衬底、介电层、有源层和金属电极，有源层中掺杂有碘离子，衬底采用普通玻璃、硅晶片以及导电玻璃中的任意一种，金属电极采用Al、Ag、Au、W、Ta、Pt中的任意一种，有源层为纳米结构的金属氧化物材料。本发明中基于碘的后处理掺杂技术，可以通过控制金属氧化物薄膜及薄膜晶体管在充满碘蒸气中密封装置中的暴露时间可以控制材料的电气性能，并且较现有的在材料组成或薄膜形成过程中所进行的掺杂技术更简单、更易于实现，对新一代薄膜晶体管的研究具有重要意义。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
