| 专利号 | 2017102292991 | 申请日 | 2017-04-10 | 专利名称 | 一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法 |
| 授权日 | 2019-02-05 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 陈秀芳;李天;徐现刚;胡小波 |
| 主分类号 | C30B29/36 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料生长方法。该方法采用PVT法，在掺锗碳化硅体单晶生长过程中，将特定比例的氮气通入生长气氛中，通入氩气作为载气压力控制在700～850mbar，氩气流量为15‑30sccm，氮气流量为0.5‑2sccm；得到锗氮共掺杂的碳化硅单晶。一方面实现了高浓度锗元素的掺杂；另一方面，通过调节锗氮两种元素的特定掺杂浓度，达到增加碳化硅晶格适配度，降低晶体应力，提高晶体质量的目的。拓展碳化硅晶体材料在可见光和红外光波段的应用。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
