| 专利号 | 2022101199680 | 申请日 | 2022-01-28 | 专利名称 | 一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用 |
| 授权日 | 2023-02-28 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 谢雪健;徐现刚;王守志;陈秀芳;彭燕;杨祥龙;胡小波 |
| 主分类号 | C30B25/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于新材料技术及晶体生长技术领域，涉及一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用。其制备方法为：在生长坩埚内设置SiC源材料和SiC籽晶，SiC籽晶位于SiC源材料的上方，再将生长坩埚置于真空条件下，通入载气，然后加热并依次进行籽晶表面成核处理和单晶生长处理，降温；其中，SiC源材料的C/Si为(0.5～0.8):1或(1.2～1.5):1；或者，籽晶表面成核处理的载气气氛中，氮气的体积不低于载气体积的50％；或者，SiC源材料内添加p型掺杂剂。本发明制备的SiC单晶衬底部件具有高电导率、高孔隙率，而且操作简单、易于工业化生产。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
