| 专利号 | 201811391720X | 申请日 | 2018-11-21 | 专利名称 | 一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片 |
| 授权日 | 2023-03-28 | 专利权人 | 山东农业工程学院 | 发明人 | 赵志桓;刘伟丽;潘莹月;郭英华;韩怡;王壮壮;杜建都;乔大壮;姜莹 |
| 主分类号 | H01L21/331 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本公开提供了一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片。其中，一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法，包括：网格化设计横向版图，并设置基区、发射区和键合区相关参数；其中，基区按照电子扩散浓度划分为深基区和淡基区；根据芯片预设参数性能要求，设计纵向结构，得到集电结结深和发射结结深；依次进行以下工艺制程：一次氧化、深基区光刻、深基区扩散、二次氧化、淡基区光刻、淡基区扩散、三次氧化、发射区光刻、发射区扩散、四次氧化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻和合金工艺，最终得到具备预设抗辐射性能参数的大功率晶体管芯片。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
