| 专利号 | 2017101617017 | 申请日 | 2017-03-17 | 专利名称 | 一种高质量低电阻率的p型SiC单晶制备方法 |
| 授权日 | 2019-09-24 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 陈秀芳;谢雪健;彭燕;徐现刚;胡小波 |
| 主分类号 | C30B29/36 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高质量低电阻率p型SiC单晶的制备方法。该方法包括：在生长坩埚内提供SiC源材料和B掺杂剂、Al掺杂剂以及SiC籽晶；将Al掺杂剂盛于中心小坩埚内；将B掺杂剂分别盛于若干小坩埚内，对称放置于所述中心小坩埚两侧或四周；炉内抽真空后，通入氩气作为载气；中频感应加热所述生长坩埚建立温度梯度，提供生长环境；SiC及B掺杂剂、Al掺杂剂升华至SiC籽晶进行晶体生长。本发明的方法能保持生长的p型SiC单晶在晶体径向和轴向掺杂的均匀性，切割成晶片后，不仅其电阻率得以降低，而且在晶体轴向、径向上的电阻率偏差也明显减小。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
