| 专利号 | 2018101956078 | 申请日 | 2018-03-09 | 专利名称 | 一种钴离子掺杂的氮化碳空心四棱柱及其制备方法 |
| 授权日 | 2021-03-30 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 杨萍;江志翔 |
| 主分类号 | C01B21/082 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种钴离子掺杂的氮化碳空心四棱柱及其制备方法，空心四棱柱的底面外侧壁边长为300‑400nm，棱长为4‑10μm，壁厚为20‑50纳米。本发明通过析晶和煅烧两个过程实现了钴离子的均匀掺杂和空心四棱柱形貌的形成。本发明利用晶体的自析晶过程，不仅可提高原料的纯度，还实现了钴离子的均匀掺杂，制备过程简单，重复性好，产率高，且具有普适性。煅烧得到的产品具有空心四棱柱形貌，该形貌新颖、特殊，比传统的块状形貌具有更高的比表面积，在光催化降解有机物、光催化产氢、能源材料、分析化学等领域极具应用前景。且钴离子存在在C3N4嗪环网络内，分布均匀且不会被氧化，可以有效地避免钴离子发生氧化形成氧化物/氮化碳异质结。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
