| 专利号 | 202410815796X | 申请日 | 2024-06-24 | 专利名称 | 一种用于光电器件的NiO半导体的制备方法 |
| 授权日 | 2024-09-10 | 专利权人 | 山东科技大学 | 发明人 | 张伟伟;段书麟;王雯;丁建旭 |
| 主分类号 | H01L21/368 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于光电器件的NiO半导体的制备方法。本发明的制备方法，采用化学沉淀技术制备均一、高结晶度的NiO纳米颗粒，利用双氧水和冷冻干燥处理工艺，并过滤控制粒径大小，再分散到溶剂中，获得稳定的极性和非极性NiO胶体分散系，有利于在制备光电器件时采用简单的低温旋涂法获得高质量的NiO半导体。双氧水能够改善NiO表面电位分布，提高纳米颗粒的稳定性，减小团聚，同时提高NiO纳米颗粒中Ni3+的含量，提高NiO半导体的电导率。通过反复冷冻和超声处理工艺，保证超声处理总时长达6~8小时，减少颗粒团聚，提高NiO纳米分散系的稳定性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
