| 专利号 | 2019104054338 | 申请日 | 2019-05-16 | 专利名称 | 一种含硅碳酸根型类水滑石超薄片的制备方法 |
| 授权日 | 2021-08-20 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 侯万国;于淼;杜娜;李海平;宋淑娥 |
| 主分类号 | C01G9/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种含硅碳酸根型类水滑石超薄片的制备方法。将含Si4+及二价和三价金属离子的混合盐溶液与Na2CO3和NaOH的混合碱溶液，在搅拌下同时加入反应器中，通过调节两者的相对添加速率控制反应体系的pH为9～11。其中，二价金属离子为Mg2+、Co2+、Ni2+、Cu2+或Zn2+，三价金属离子为Al3+、Cr3+或Fe3+。所制备的Si‑CO3‑HTlc超薄片厚度小于3纳米，由2～4个类水滑石晶层组成；Si4+与金属离子的摩尔比为0.16～0.27。该制备方法具有工艺简单、条件温和、成本低、环境友好、易于产业化等优势。所制备的Si‑CO3‑HTlc超薄片在催化、储能、阻燃剂、复合材料等领域有重要的应用前景。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
