| 专利号 | 2024104238582 | 申请日 | 2024-04-10 | 专利名称 | 集成SBD的SiC衬底上增强型GaN HEMT器件 |
| 授权日 | 2024-06-11 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 汉多科·林纳威赫;陈思衡;韩吉胜;崔鹏;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L27/07 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供了本发明提供了一种集成SBD的SiC衬底上增强型GaN HEMT器件，属于微电子技术领域。通过在同一SiC衬底上制备出平面型SiC SBD和增强型p‑GaN/AlGaN/GaN HEMT，并将它们反向串联，使得器件获得非破坏性雪崩击穿性能；平面型SiC SBD无需进行离子注入，并且在欧姆电极区域沉积了3C‑SiC外延层，无需高温退火即可实现欧姆接触，从而使得制备得到的增强型GaN HEMT在保证高可靠性和高击穿电压的同时，还具有低成本、制备工艺简单、高性能和高集成度等优势。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
