| 专利号 | 2023101151116 | 申请日 | 2023-02-15 | 专利名称 | 富含阳离子空位的三氧化钨纳米片及其制备与应用方法 |
| 授权日 | 2024-07-16 | 专利权人 | 青岛大学 | 发明人 | 丁欣;李明珠;张林林 |
| 主分类号 | C01G41/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种富含阳离子空位的三氧化钨纳米片及其制备与应用方法。所述制备方法包括：获得钨化合物或其掺杂物的盐模板；将盐模板在惰性氛围下、于450～550℃进行高温退火处理；通过水溶液洗脱高温退火后的盐模板中的盐成分，得到所述富含阳离子空位的三氧化钨纳米片。本发明的制备方法过程简单、高效，所得产品结构清晰规整、富含阳离子空位。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
