| 专利号 | 201811250452X | 申请日 | 2018-10-25 | 专利名称 | 一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法 |
| 授权日 | 2021-03-30 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 冯先进;徐伟东 |
| 主分类号 | H01L21/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，多元非晶金属氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、IAZO有源层、源电极和漏电极，源电极和漏电极生长在IAZO有源层上，包括：（1）清洗衬底；（2）使用射频磁控溅射法在衬底上生长所述IAZO有源层；（3）使用电子束蒸发，在IAZO有源层表面生长源电极和漏电极，即得。采用射频磁控溅射法的制备工艺，可以制备与靶材组分相近、致密、均一性良好的半导体薄膜材料，与现有的平板显示工艺相兼容，有利于IAZO TFT的低温制备。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
