| 专利号 | 2023109941565 | 申请日 | 2023-08-08 | 专利名称 | 一种提高氧化镓薄膜霍尔迁移率的方法 |
| 授权日 | 2025-08-26 | 专利权人 | 山东师范大学 | 发明人 | 曹文田 |
| 主分类号 | C23C14/08 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高氧化镓薄膜霍尔迁移率的方法，属于微电子、光电子和功率电子技术领域。本发明采用磁控溅射工艺在失配衬底表面制备氧化镓薄膜，制备完毕后，以≥5℃/min的冷却速率将氧化镓薄膜冷却至室温，即得高霍尔迁移率的α‑Ga2O3薄膜。利用衬底和薄膜之间巨大的晶格失配和热膨胀失配造成的应力应变以及过快的冷却速率造成的抑制薄膜成核生长，保证α‑Ga2O3薄膜横截面结晶质量具有典型的三明治结构。即α‑Ga2O3/衬底界面区域和α‑Ga2O3薄膜的顶部区域为部分结晶；中间为非晶。这种结构最大程度地减缓极性光学声子在薄膜内的传输，减缓极性光学声子对载流子的散射，极大提高了载流子迁移率。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进有色金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
