| 专利号 | 2021104221253 | 申请日 | 2021-04-20 | 专利名称 | 基于卤素化羟基氧化物量子点界面层的钙钛矿太阳能电池及制备方法 |
| 授权日 | 2022-07-26 | 专利权人 | 中国海洋大学 | 发明人 | 贺本林;崔沥方;陈海燕 |
| 主分类号 | H01L51/48 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供了基于卤素化羟基氧化物量子点界面层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，具体是采用溶液法制得卤素化羟基氧化物量子点，将其旋涂在导电玻璃负载的电子传输层表面作为界面修饰层，之后液相旋涂制备钙钛矿吸光层，涂覆法沉积碳背电极，制成钙钛矿太阳能电池。本发明利用卤素化羟基氧化物量子点的基团化学特性、高电导率及能带结构可调性一方面钝化电子传输层和钙钛矿层表面缺陷并提高钙钛矿薄膜质量，增大电子迁移速率和减少载流子复合，另一方面促进电子转移和改善界面能级排列，增强电荷提取与降低能量损失，有效提高了钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性。本发明制备技术简单，原料价廉易得，材料优化改进空间大，具有很大的应用前景。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
