| 专利号 | 2020101575340 | 申请日 | 2020-03-09 | 专利名称 | 离子束直写二维半导体器件的方法 |
| 授权日 | 2021-06-15 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 谭杨;刘燕然;陈峰 |
| 主分类号 | H01L29/16 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种离子束直写二维半导体器件的方法，步骤一、将表面清洗后的硅片作为衬底；步骤二、在硅片表面制作一对相间隔的金电极；步骤三、在金电极上方设置一单层石墨烯，单层石墨烯覆盖整个硅片表面区域；步骤四、在单层石墨烯上方设置一单层过渡金属双卤代金属TMDCs；步骤五、通过低能量离子束对部分单层TMDCs表面进行轰击，使轰击区域的单层TMDCs表面产生缺陷，有缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行空位掺杂，使得对应置处的单层石墨烯呈现P态，无缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行电子掺杂，使得对应位置处的单层石墨烯呈现N态，最终形成PN结。提出了一种利用离子辐照技术直接在TMDCs/石墨烯异质结构上绘制任意二极管的方法。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
