| 专利号 | 2024105083216 | 申请日 | 2024-04-26 | 专利名称 | 一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法 |
| 授权日 | 2024-07-09 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;汉多科·林纳威赫;韩吉胜;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/778 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN HEMT包含衬底、过渡层、沟道层、势垒层、栅结构和源漏欧姆接触金属电极。器件栅极部分自下而上分别包括势垒层上的P‑型GaN栅极材料、n型3C‑SiC层和金属电极堆叠构成，且位于源漏接触之间。栅极金属既与n型3C‑SiC接触，也与3C‑SiC中间刻蚀掉后露出的P型GaN栅极材料相接触，从而使得栅极接触由一对平行的3C‑SiC和P型GaN层分别接触构成，可有效降低栅电极和二维电子气(2DEG)之间栅漏电流。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
