| 专利号 | 2022115938071 | 申请日 | 2022-12-13 | 专利名称 | 一种去除AlN单晶生长用钨件上附着多晶的方法 |
| 授权日 | 2024-10-22 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张雷;曹文豪;王国栋;俞瑞仙;王守志;徐现刚 |
| 主分类号 | C30B33/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于氮化铝晶体生长技术领域，具体涉及一种去除AlN单晶生长用钨件上附着多晶的方法。本发明通过将附着多晶的钨件设置在坩埚底部并进行高温抽压退火，在合理的温度、抽压压力及保温时间条件下，使附着的多晶在高温下升华形成AlN蒸气，在压力差的驱动下，气流流向坩埚上方的低温区，在低温区的沉积板上进行再沉积，通过这种方法能够有效去除坩埚底部钨件上的多晶；此外，去除的多晶能够进行有效的收集，从而用于后续的晶体生长；并且，多晶去除后的钨件可以资源化再利用。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
