| 专利号 | 2021100763370 | 申请日 | 2021-01-20 | 专利名称 | 一种单光子源集成器件加工方法 |
| 授权日 | 2023-01-17 | 专利权人 | 中国石油大学(华东) | 发明人 | 江萍;马娜;武文轩;刘鹏;张会 |
| 主分类号 | H01L33/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本申请涉及一种单光子源集成器件加工方法，包括：通过分子束外延(MBE)工艺，在生长衬底上依次生长牺牲层和自组装量子点层；通过外延层剥离(ELO)工艺，将自组装量子点层转移到器件衬底上。通过本申请，量子点薄膜层可以转移到任意半导体衬底或金属材料衬底等器件衬底上，易于实现集成。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
