| 专利号 | 2023111052668 | 申请日 | 2023-08-30 | 专利名称 | 一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2-xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法 |
| 授权日 | 2024-09-10 | 专利权人 | 齐鲁工业大学(山东省科学院) | 发明人 | 徐小龙;郝霄鹏;修志亮;吴拥中;邵永亮;艾子政;张保国;杨铭志;胡海啸;史栋;王玉浩 |
| 主分类号 | C30B1/10 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，属于晶体生长和固溶体制备技术领域。将氧化锌或者硝酸锌等不引入杂质元素的掺杂剂掺入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12前驱体，晶体生长时Zn进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相的含量。本发明通过Zn取代Zr进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，可显著减少ZrO2和/或Na2ZrSi2O7等晶相，为Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度提高及其钠离子电导率提高提供了理论基础和技术支撑。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
