| 专利号 | 2024116616093 | 申请日 | 2024-11-20 | 专利名称 | 一种铌酸镓镧族晶体生长温场的设计方法 |
| 授权日 | 2025-10-14 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 于浩海;路大治;武奎;张怀金 |
| 主分类号 | C30B29/30 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种铌酸镓镧族晶体生长温场的设计方法，属于晶体生长技术领域，本发明通过设计温场材料的非均匀厚度变化来调节晶体生长所需的温度梯度，这有别于传统提拉法温场材料的常规同一厚度设计，基于温场材料的非均匀厚度设计不规则的温场，温场下部薄上部厚，下部薄可以增大固液界面处的温度梯度，为晶体扩肩到4英寸提供合适的过冷度，上部厚有利于晶体的保温，防止晶体的开裂。该温场设计方法对大尺寸铌酸镓镧晶体生长有利于提供合适的温场梯度，实现均匀组分的晶体生长，最终获得高质量大尺寸的铌酸镓镧族单晶。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
