| 专利号 | 2024100889828 | 申请日 | 2024-01-23 | 专利名称 | 一种氮化镓HEMT器件及其制备方法 |
| 授权日 | 2024-09-06 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;罗鑫;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/778 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于氮化镓HEMT器件技术领域，具体涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法，其自一侧向另一侧依次设置有衬底、成核层、缓冲层、插入层、AlGaN势垒层、SiN帽层和钝化层，插入层和AlGaN势垒层形成异质结，所述SiN帽层经过氧等离子体处理，氧等离子体处理时，上电极功率为50~600 W，下电极功率为0~100 W，不为0。通过氧等离子体处理原位生长SiN帽层的方法降低了氮化镓HEMT中的关态漏电，提高了开关选择比，降低表面粗糙度，提高栅极肖特基势垒高度，提高了击穿电压。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
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| 详细说明 | |||||
