| 专利号 | 2019104294191 | 申请日 | 2019-05-22 | 专利名称 | 一种集成反向二极管和内嵌漏极场板的横向扩散eGaN HEMT器件 |
| 授权日 | 2023-03-31 | 专利权人 | 山东建筑大学 | 发明人 | 张士英;徐庆君;韦德泉;李振华;刘建波;张彬 |
| 主分类号 | H01L29/778 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种集成反向二极管和内嵌漏极场板的横向扩散eGaN HEMT器件，包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅极电极、栅下绝缘层、源极电极、源极电极延伸段、源极场板、MIS肖特基二极管延伸段、MIS肖特基二极管绝缘层、p型GaN或凹槽、漏极电极、钝化层、AlN错层漏极内嵌场板，MIS肖特基二极管绝缘层制备于源极场板向MIS肖特基二极管延伸段以及AlGaN势垒层表面中间区域，二极管靠漏极侧采用p‑GaN或凹槽，提升器件击穿特性，漏极下方采用内嵌的错层场板，提升漏极向衬底抗击穿的能力，错层设计适应漏极电场自右向左的渐变型分布，提升器件的击穿特性，延长源极场板并包裹栅极，栅漏侧形成MIS肖特基二极管，二极管做成分块隔离的方式，极大地提升漏极电流。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
