| 专利号 | 2025117348689 | 申请日 | 2025-11-25 | 专利名称 | 碳化硅外延层厚度红外光测量方法、系统、介质及设备 |
| 授权日 | 2026-01-27 | 专利权人 | 山东管理学院 | 发明人 | 毛园园;刘佳音;孔硕;刘瑞 |
| 主分类号 | G01B11/06 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种碳化硅外延层厚度红外光测量方法、系统、介质及设备，涉及厚度测量技术领域。基于双光束干涉模型，考虑空气‑外延层、外延层‑衬底界面反射，推导光程差与总相位差，根据外延层与衬底折射率关系构建厚度通用求解模型；采用滑动窗口划分光谱区间，利用不同色散模型计算各区间厚度，按照相对标准偏差分配权重加权融合，得到综合厚度求解模型；拓展至多光束干涉模型，推导总反射率公式，分析多光束干涉必要条件及厚度误差；获取待测碳化硅外延片，联合Airy公式与色散模型建拟合模型消除误差，得到厚度测量结果。实现对碳化硅外延层厚度的高精度、高可靠性非破坏性测量，解决传统简化模型带来的系统性误差及结果可靠性不足问题。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 高端装备制造 智能制造装备产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
