| 专利号 | 2020106465830 | 申请日 | 2020-07-07 | 专利名称 | 多孔碳化硅陶瓷材料及其制备方法 |
| 授权日 | 2021-09-21 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张景德;李子禾;温家强;韩桂芳 |
| 主分类号 | C04B35/565 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本公开提供了一种多孔碳化硅陶瓷材料及其制备方法。所述多孔碳化硅陶瓷为蜂窝状结构，多孔碳化硅陶瓷的孔隙呈立体网格状无序联通，孔隙分布均匀，孔隙的尺寸为20μm～30μm。所述多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法包含：a.将基体原料碳化硅粉体、氢氧化铝粉体、氧化钇粉体加入容器中，然后再加入分散剂、去离子水，首次球磨，之后再加入粘结剂，二次球磨，得到均匀的浆料；b.将步骤a所制得的浆料倒入容器中真空除泡，之后将除泡后的浆料注入到冷冻模具中冷冻，得到冷冻生胚；c.将步骤b所制得的冷冻生胚在真空条件下干燥，得到多孔SiC胚体；d.将步骤c所制得的胚体放入保温箱干燥；e.将步骤d所得到的胚体烧结。本公开的制备工艺简单高效，操作易于控制。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
