| 专利号 | 2021107945007 | 申请日 | 2021-07-14 | 专利名称 | 一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法与应用 |
| 授权日 | 2024-03-26 | 专利权人 | 山东师范大学 | 发明人 | 李玉国;耿树吉;王路 |
| 主分类号 | H01L29/786 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法与应用。所述氧化物薄膜晶体管、包括：基底；栅电极，设置在基底上；介质层，设置在基底上并覆盖栅电极；有源层，设置在介质层上，并与栅电极叠置；源电极和漏电极，分别设置在有源层的上表面及侧表面上，与有源层接触，并且源电极和漏电极彼此分隔开；最上层为钝化层；所述介质层材料为聚丙烯酸苯酯PPA；所述有源层材料为Ga2O3纳米线；所述钝化层的材质为掺P的Si3N4薄膜。本发明提供的薄膜晶体管具有极小的阈值电压漂移，实现了高稳定性氧化物薄膜晶体管的制备，有助于产业化的实施。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
