| 专利号 | 2023104370736 | 申请日 | 2023-04-18 | 专利名称 | 一种高性能GaN MIS-HEMT的制备方法 |
| 授权日 | 2024-02-02 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;代嘉铖;崔潆心;钟宇;李汉和;徐明升;李树强;韩吉胜;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L21/335 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高性能GaN MIS‑HEMT的制备方法，本发明生长源电极和漏电极退火后进行N2O等离子体处理，N2O等离子体处理p‑GaN时N2O中的氮原子可以填补p‑GaN生长时产生的氮空位缺陷；对栅电极下TiO2介质层使用N2O等离子体处理表面，降低了处理后的TiO2薄膜中的氧空位，有效地恢复了低温热ALD沉积的TiO2薄膜中的缺陷，使得栅极漏电流降低，从而改善了栅极漏电流现象。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
