| 专利号 | 2022101664362 | 申请日 | 2022-02-23 | 专利名称 | 一种利用掩膜光刻技术一步制备微米级双层结构的方法 |
| 授权日 | 2023-06-16 | 专利权人 | 鲁东大学 | 发明人 | 张登英;朱林伟;陈雪叶;赵风周;张立春 |
| 主分类号 | G03F7/20 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种利用掩膜光刻技术一步制备微米级双层结构的方法，该方法解决了利用现有的光刻技术来制备微米级双层结构时只能通过复杂的套刻工艺来实现的问题。本发明的方法为：设计用于制备微米级双层结构的掩膜版，获得所设计的掩膜版后在正性光刻胶上进行掩膜光刻，只需进行一次光刻工艺流程便可在基片表面获得微米级双层结构。本发明适用于半导体制造、功能性界面材料、多尺度微纳结构制造等应用领域。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
