| 专利号 | 2024117375817 | 申请日 | 2024-11-29 | 专利名称 | 一种高阻抗近零温漂高温压电晶体材料及其生长方法和应用 |
| 授权日 | 2026-01-27 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 于法鹏;刘子健;刘学良;赵显;姚贵腾 |
| 主分类号 | C30B15/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高阻抗近零温漂高温压电晶体材料及其生长方法和应用，属于压电晶体生长技术领域。本发明提供的高阻抗近零温漂高温压电晶体材料的化学式为ErxGd1‑xCa4O(BO3)3，x＝0.1～0.3，可采用常规的提拉法生长得到大尺寸优质单晶，生长工艺简单且易于加工。应用该晶体材料制作的压电异形元件，有效纵向压电常数d33可达6.5～7.0pC/N；有效切变压电常数d26可达8.5～10.0pC/N；高温1000℃时电阻率可达106Ω·cm；室温到1000℃范围内压电常数的变化率在5％以下，具有近零温漂特性和耐高温性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
