| 专利号 | 2022101965976 | 申请日 | 2022-03-02 | 专利名称 | 一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法 |
| 授权日 | 2024-05-28 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;陈思衡;韩吉胜;徐现刚;林兆军;展杰;徐明升;崔潆心;钟宇 |
| 主分类号 | H01L29/51 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层和ScAlN介质层。在GaN帽层上高温生长ScAlN介质层，高温生长的ScAlN与GaN帽层之间的界面陷阱态较少，界面电荷散射较弱，而且ScAlN可以有效钝化材料表面，减少表面陷阱态，从而提高器件的的最大饱和电流IDmax，降低导通电阻Ron。同时，可有效抑制栅下电子隧穿，降低器件栅极漏电和关态漏电流，从而提高栅极控制能力，增加开关电流比Ion/Ioff，以及降低亚阈值摆幅SS。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
