| 专利号 | 2021104696534 | 申请日 | 2021-04-28 | 专利名称 | 一种Mg-Bi基层状体块晶体材料及其生长方法 |
| 授权日 | 2022-05-10 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 夏盛清;王琦琦;刘小村 |
| 主分类号 | C30B29/52 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种Mg‑Bi基层状体块晶体材料及其生长方法。所述的晶体材料的晶体结构为Mg3Bi2构型，呈现页岩状形貌；其生长方法包括步骤：在真空或惰性气氛保护下，将空置的生长晶体的非金属坩埚加热至预定温度；将熔化的Mg‑Bi基晶体生长原料液注入加热至预定温度的非金属坩埚中，通过坩埚下降法或籽晶定向生长方法进行晶体的生长，得到Mg‑Bi基层状体块晶体材料。本发明的生长方法工艺简单、成本低廉、可放大制备晶体，采用本发明生长方法得到的Mg‑Bi基体块晶体材料具有大尺寸，高质量以及规则的层状结构，在室温附近表现出优异的热电性能，可直接应用于热电器件制备。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
