| 专利号 | 2019106827542 | 申请日 | 2019-07-26 | 专利名称 | 一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件及其制备方法 |
| 授权日 | 2024-07-23 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 徐明升;王晓敏;葛磊 |
| 主分类号 | H01L27/15 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种倒装GaN基HEMT‑LED集成器件，自上而下依次包括衬底、缓冲层，缓冲层的下表面一部分设置有N型导电层，另一部分设置有氮化镓(GaN)沟道层，在N型导电层的下表面自上而下依次包括多量子阱有源区、P型导电层、P型欧姆接触反射镜、P电极和P电极基板，氮化镓(GaN)沟道层的下表面设置有铝镓氮(AlGaN)势垒层，铝镓氮(AlGaN)势垒层的下表面设置有源电极和栅电极，源电极和栅电极分别连接有源电极基板、栅电极基板，P电极基板、源电极基板和栅电极基板共同设置在散热基板上并与散热基板接触，本发明的集成器件与散热基板通过金属电极接触，热阻小，散热效果好，可以有效的降低HEMT‑LED器件的结温，提高器件发光效率、可靠性和使用寿命。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
