| 专利号 | 2022102215271 | 申请日 | 2022-03-09 | 专利名称 | 一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法 |
| 授权日 | 2024-06-11 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 陈秀芳;仲光磊;谢雪健;彭燕;杨祥龙;胡小波;徐现刚 |
| 主分类号 | C30B23/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法，该方法首先制备含掺杂元素的SiC晶粒或SiC多晶块，通过SiC晶粒或多晶块锁住掺杂元素法来实现掺杂元素的均匀持续释放，密封掺杂元素的SiC晶粒或多晶块作为生长源，可极大的提高掺杂元素在晶锭轴向和径向上掺入的均匀性，得到p型SiC，减缓生长过程掺杂元素的掺入不均匀性，提高晶体质量。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
