| 专利号 | 2019104008787 | 申请日 | 2019-05-15 | 专利名称 | 一种表面活性剂辅助气相生长III-V族半导体纳米线的方法 |
| 授权日 | 2021-08-13 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 杨再兴;孙嘉敏;高兆峰 |
| 主分类号 | C23C16/30 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种表面活性剂辅助气相生长小直径、高性能III‑V族半导体纳米线的方法，包括：采用双温区气相法生长；双温区包括源区和生长区，源区放置III‑V族半导体源材料，用于提供源材料；生长区放置覆盖有Au膜催化剂的衬底，用于纳米线的生长；源区和生长区之间放置表面活性剂，用于改良纳米线。本发明可以制备出直径小于10nm的III‑V族纳米线，同时实现对其直径、电学性能的控制。同时，本发明采用的化学气相沉积方法制备III‑V族纳米线，条件简单，成本低廉。所采用的表面活性剂只在生长的纳米线表面与V族元素形成化学键，而没有掺杂到纳米线中。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
