| 专利号 | 2023100265779 | 申请日 | 2023-01-09 | 专利名称 | 一种p型SiC单晶生长的坩埚及方法 |
| 授权日 | 2024-12-31 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 谢雪健;仲光磊;徐现刚;陈秀芳;王得胜;胡小波;孙丽 |
| 主分类号 | C30B23/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，涉及一种p型SiC单晶生长的坩埚及方法。包括上坩埚、下坩埚和连接杆，连接杆为中空结构，连接杆的一端与上坩埚的下端开口连通，连接杆的另一端与下坩埚的上端开口连通，上坩埚内下部设置内埚，内埚开口向上，内埚侧壁高度小于上坩埚侧壁高度，内埚内的空间为SiC粉料放置区，内埚上方的上坩埚内的空间为SiC单晶生长区，内埚与上坩埚之间形成缝隙，上坩埚下端开口通过所述缝隙与SiC单晶生长区连通，上坩埚的上盖设置为能够使保护气从上坩埚的上盖进入至上坩埚内。本发明能够有效降低掺杂源的温度，使掺杂源缓慢释放，提高了掺杂源释放的均匀性，有效解决了掺杂源集中释放导致晶体晶型不稳、质量劣化的问题。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
