| 专利号 | 2023107987210 | 申请日 | 2023-06-30 | 专利名称 | 基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器 |
| 授权日 | 2024-02-20 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 逄金波;侯崇洋;刘瑞;刘宏;周伟家 |
| 主分类号 | G01L1/18 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及压阻式应力传感器技术领域，提出了基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，包括底座，所述底座的上方设置有二硒化钨层，所述二硒化钨层底部的左右两侧连接有电极，所述二硒化钨层的上方设置有陶瓷绝缘层，所述陶瓷绝缘层的顶部安装有承重层，所述承重层的左右两侧设置有第一导电片，所述承重层的中间安装有电源，所述电源的左右两侧连接有导电板，所述导电板远离所述电源的一侧与所述第一导电片相连，所述底座顶部的右侧固定连接有第一侧板。通过上述技术方案，解决了现有的现有的压阻式应力传感器不能够在不影响支撑效果的同时延伸顶部支撑范围，而且不能够在受到侧向力时分区域发出警报或者整体性发出警报的问题。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
