| 专利号 | 2015101726829 | 申请日 | 2015-04-13 | 专利名称 | 一种金属助熔剂法生长过渡金属硫属化合物晶体的方法 |
| 授权日 | 2017-04-05 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 陶绪堂;张西霞;王善朋 |
| 主分类号 | C30B9/10 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种金属助熔剂法生长过渡金属硫属化合物晶体的方法，包括步骤如下：(1)将单质M、单质X和单质Sn混合，于1×10‑3‑1×10‑4Pa的真空度条件下，升温至1100‑1150℃，保温20‑40h；M为Cr、Mo或W，X为S、Se或Te；(2)以1‑6℃/h的降温速率进行第一阶段降温，使晶体自发结晶，当温度降至900‑1000℃时，保温20‑40h；然后淬火，在5‑10min内降温至室温，即得。本发明操作条件易实现、可调控、原料易得，价格便宜，且得到的晶体质量高，在光子、光电和电子器件方面有很大的应用前景。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
