| 专利号 | 2019107416082 | 申请日 | 2019-08-12 | 专利名称 | 一种实现像素内相关双采样的高速全局曝光像素结构 |
| 授权日 | 2022-07-05 | 专利权人 | 天津大学青岛海洋技术研究院 | 发明人 | 徐江涛;陈全民;高志远;查万斌;林鹏 |
| 主分类号 | H04N5/378 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 一种实现像素内相关双采样的高速全局曝光像素结构，包括光电二极管（PD）、复位晶体管（RST）、电荷传输晶体管（TX）、两个源极跟随器（SF1、SF2）、多功能晶体管（PC）、三个MOS开关（S1、S2、S3）、选择晶体管（SEL）、两个电容（C1、C2）；该像素结构能够实现像素内相关双采样（CDS）操作，消除电荷‑电压转换节点（FD）的复位噪声，提高图像的信噪比，提升图像质量；CDS操作在像素内实现，避免额外的CDS电路，减少在芯片面积同时降低时间延迟，提高帧率；能够实现曝光和像素的流水线操作，即可以在当前帧信号输出过程中进行下一帧曝光，充分利用信号读出时间，提高帧率。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 数字创意产业 数字创意技术设备制造 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
