| 专利号 | 2019104846568 | 申请日 | 2019-06-05 | 专利名称 | 一种基于高空穴迁移率GaSb纳米线的高性能红外探测器及其制备方法 |
| 授权日 | 2020-09-29 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 杨再兴;孙嘉敏;韩明明 |
| 主分类号 | H01L31/0304 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于高空穴迁移率GaSb纳米线的高性能红外探测器及其制备方法，采用双温区气相法、选择金属锡作为催化剂和轻掺杂源，实现了高空穴迁移率GaSb纳米线的可控生长，其场效应空穴迁移率超过1000cm2V‑1s‑1。采用微纳加工技术制备的高性能GaSb纳米线红外探测器件包括Si/SiO2衬底、单根GaSb纳米线及金属电极。器件具有优良的光电特性，对1550纳米的红外光展现了104安/瓦的高响应度，及143.4微秒和237.0微秒的超快响应时间，工艺可控性强，操作简单，成本低廉。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
