| 专利号 | 2020102852707 | 申请日 | 2020-04-13 | 专利名称 | 一种金属-SAM-有机半导体复合结构及制备方法和电子器件中的应用 |
| 授权日 | 2022-04-22 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 王鑫煜;樊弘昭 |
| 主分类号 | H01L51/30 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属涉及一种金属‑SAM‑有机半导体复合结构及制备方法和电子器件中的应用。包括金属层、自组装单分子层、有机半导体层，SAM位于金属层和有机半导体层之间，SAM由端部基团为硫基的物质组成，分子式为HS(CH2)nR，n为SAM分子碳链长度，R为极性官能团，SAM的硫元素与金属层在界面处通过化学键连接。制备方法为制备金属层，将金属层浸入SAM的溶液中，得到表面组装SAM膜的金属层；然后在SAM膜的表面形成有机半导体层。有机半导体层的制备方法为真空蒸镀法或硅基底沉积转印法。显著提高界面处热量传递效率，对于改善有机电子器件的散热性能具有重要意义。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
