| 专利号 | 2024106120212 | 申请日 | 2024-05-17 | 专利名称 | 具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法 |
| 授权日 | 2024-09-03 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;罗鑫;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L21/335 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体器件领域，具体涉及具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法。在SiC衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和AlN帽层，形成薄膜结构；对薄膜结构进行台面刻蚀，刻蚀深度截止到GaN缓冲层，在GaN缓冲层表面形成台面；在台面上进行源电极和漏电极图案的光刻显影，生长源电极和漏电极并退火；使用氟基气体对AlN帽层进行氟基等离子体处理；在AlN帽层上制备栅电极；在器件表面生长SiO2钝化层，并对电极区域进行刻蚀开孔。氟基气体处理降低了栅电极漏电流从而降低了器件关态电流，提高了开关选择比、击穿电压、热稳定性和抗氧化性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
