| 专利号 | 2022114699069 | 申请日 | 2022-11-23 | 专利名称 | 一种发绿光的氮化物半导体薄膜材料及其制备方法 |
| 授权日 | 2023-07-18 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 王勇;刘昱赫;王昆仑;孙珲 |
| 主分类号 | C23C14/06 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种发绿光的氮化物半导体薄膜材料及其制备方法，属于发光半导体薄膜材料技术领域，该薄膜材料的组分包括化学式为M3N4的氮化物；其中，M代表金属元素，为Zr或Hf；氮化物为正交晶系、晶体空间群为Pnma；薄膜材料中N元素的摩尔比例为54%~65%。该薄膜材料的制备方法包括以下步骤：清洗基底；以金属元素作为靶材，在Ar和N2混合气体环境中，通过高功率脉冲磁控溅射对靶材进行溅射，使金属元素与N2反应生成氮化物并沉积在基底上，以在基底上获得发绿光的氮化物半导体薄膜材料。该氮化物半导体薄膜材料在绿光波段具有较强光发射现象，且其制备成本低。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进有色金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
