| 专利号 | 2018110032257 | 申请日 | 2018-08-30 | 专利名称 | 一种多晶硅表面微纳复合结构的制备方法 |
| 授权日 | 2020-07-07 | 专利权人 | 鲁东大学 | 发明人 | 张登英;赵风周;张立春;许家沛;黄玉鹏;罗兴 |
| 主分类号 | H01L31/18 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅表面微纳复合结构的制备方法，具体涉及微细加工和太阳能电池技术领域。该方法首先在多晶硅片表面沉积一层金属Cr膜，然后在Cr膜上进行光刻和刻蚀制作出微米Cr金属掩膜图案；之后用硅片腐蚀液腐蚀硅片制得微米陷光结构，再用Cr腐蚀液去除剩余的Cr膜，便在多晶硅表面制得微米陷光结构；最后在硅片表面沉积Ag离子，利用Ag离子的金属催化化学刻蚀技术制备纳米结构，去除残余的Ag离子后获得微纳复合结构。本发明的制备方法与常规的黑硅绒面制备技术相比能够有效地降低贵金属的消耗，可以避免额外的表面复合，且微纳复合结构形状周期均可控，能够在兼顾电学性能的前提下极大地增加多晶硅片对太阳光的吸收。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
