| 专利号 | 2020109588118 | 申请日 | 2020-09-14 | 专利名称 | 一种提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法 |
| 授权日 | 2021-10-15 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 杨再兴;孙嘉敏 |
| 主分类号 | H01L21/336 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法，有助于改善目前集成电路中p沟道晶体管元器件载流子迁移率较低，无法与n沟道晶体管迁移率相匹配的现状。本发明利用金属‑半导体异质结降低沟道半导体中载流子浓度，从而提高元器件的载流子迁移率。本发明在GaSb纳米线场效应晶体管表面沉积CMOS兼容的低功函数铝、锡或钛金属颗粒，当沉积铝颗粒时，器件峰值空穴迁移率提高到3372cm2·v‑1·s‑1，是未沉积时的三倍，达到室温大气环境中p沟道晶体管空穴迁移率最大值。工艺可控性强，操作简单，成本低廉。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
