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专利号 2020112078820 申请日 2020-11-03 专利名称 基于离子注入技术修饰的全单晶光纤、制备方法及其数值孔径调控和应用
授权日 2022-02-11 专利权人 山东大学 发明人 贾志泰;王涛;张健;陶绪堂
主分类号 G02B1/02 关键词 应用领域
摘要 本发明涉及基于离子注入技术修饰的全单晶光纤、制备方法及其数值孔径调控和应用。通过向纯相单晶光纤芯部注入激活离子等,可以实现全反射结构并有效降低纤芯尺寸,大幅度降低光波导模数,实现对传输光束的有效约束,完全取代玻璃光纤的传统工艺路线。通过优化注入离子的深度、浓度、类型等,精确调控单晶光纤的数值孔径形成全反射结构,实现高效的光波导性能,通过降低离子注入形成的掺杂纤芯的尺寸可以有效降低光波导模数。本发明可以避免包层涂覆带来的能量损失,制备效率更高,重复性更好,可控性更优的全单晶光纤。在光波导模数控制以及单模光波导,在远距离信息通讯以及高能激光领域有着重要的应用前景。
创新点
技术分类 标 签 战兴产业 新材料产业    前沿新材料
运营方式 合作方式
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