| 专利号 | 2016102738442 | 申请日 | 2016-04-28 | 专利名称 | 一种SiC衬底上可选择性单面生长石墨烯的方法 |
| 授权日 | 2019-01-11 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 徐现刚;陈秀芳;张福生;赵显 |
| 主分类号 | C30B25/18 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种SiC衬底上可选择性单面生长石墨烯的方法。该方法包括：将SiC衬底平放在石墨坩埚内，C面朝下或者Si面朝下，再将一盖片叠盖在所述SiC衬底朝上的面上，所述盖片为Si原子供体或C原子吸收体；将加热炉腔室抽真空，以加热升温，通入高纯H2，对所述SiC衬底表面进行氢刻蚀，形成规则的SiC台阶结构；关闭H2，通Ar气，继续升高炉温至1500～1800℃，保温，完成石墨烯的生长。本发明方法生长的石墨烯质量、表面形貌有大幅度提高，可在逻辑电路、激光调Q和高频纳米射频器件等领域广泛应用。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
