| 专利号 | 2022111439996 | 申请日 | 2022-09-20 | 专利名称 | 一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器 |
| 授权日 | 2024-10-11 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 李青云;胡卉;张洪湖;朱厚彬 |
| 主分类号 | G02B6/30 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器。本发明的端面耦合器采用倒锥形的波导结构来扩大波导的模式直径，同时采用透镜光纤(将单模光纤的模式直径缩小到2.5μm左右)来实现与光波导的耦合。本发明的耦合器具有低插入损耗，对偏振不敏感，大的操作带宽和结构稳定的特点。有助于Si‑LNOI平台在集成光学中的广泛应用。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
