| 专利号 | 2021116775344 | 申请日 | 2021-12-31 | 专利名称 | 一种深紫外发光二极管及其制备方法 |
| 授权日 | 2024-06-25 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 刘超;刘梦然 |
| 主分类号 | H01L33/14 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种深紫外发光二极管及其制备方法，属于半导体光电二极管技术领域，本发明提出在深紫外发光二极管中的有源区的最后一个量子垒(LQB)与电子阻挡层(EBL)之间插入一层具有高Al组分且Al组分沿着AlGaN基DUV LED的外延生长方向线性增加的AlGaN层。此外，所述插入的AlGaN层的起始Al组分与LQB的Al组分是一样的，其终止Al组分高于EBL的Al组分。本技术所要解决的主要问题是提供一种深紫外发光二极管及其制备方法来解决AlGaN基DUVLED的载流子注入不足的问题，从而提高AlGaN基DUV LED的外量子效率与发光功率；此外，还可以解决因为在传统的AlGaN基DUVLED中引入新的结构来抑制电子泄露和增强空穴注入而产生的工艺复杂性和高成本的问题。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
