| 专利号 | 202311706150X | 申请日 | 2023-12-12 | 专利名称 | 一种功率芯片摩擦辅助快速烧结方法及功率芯片 |
| 授权日 | 2025-11-07 | 专利权人 | 青岛理工大学 | 发明人 | 吴娜;刘祥硕 |
| 主分类号 | H01L21/67 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种功率芯片摩擦辅助快速烧结方法及功率芯片，涉及功率芯片制备技术领域。将基板放置在加热台上，并将中间层放置在基板上；中间层上放置待烧结的功率芯片，对功率芯片通过动态摩擦促进钎料等温凝固直到中间剩余较薄的Au‑Sn液相层，然后经过静压烧结完全实现等温凝固，获得全金属间化合物接头；对全金属间化合物接头进行保温和冷却。本发明旨在通过摩擦辅助促进高熔点金属向中间低熔点液相的溶解，缩短固液互扩散连接时间，同时不损伤芯片内部结构。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
