| 专利号 | 2021114049085 | 申请日 | 2021-11-24 | 专利名称 | 一种具有沟槽结构的垂直型氮化镓肖特基二极管及其制备方法 |
| 授权日 | 2023-11-07 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 刘超;尹健 |
| 主分类号 | H01L29/872 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有沟槽结构的垂直型氮化镓肖特基二极管及其制备方法。本发明氮化镓结势垒肖特基二极管包括：重掺杂N型氮化镓衬底区；轻掺杂N型氮化镓漂移区，位于重掺杂N型氮化镓衬底区上方；轻掺杂N型氮化镓漂移区上设置有沟槽；沟槽底面和侧壁包覆有P型氮化镓区；金属电极层，设置于重掺杂N型氮化镓衬底区下表面以及P型氮化镓区和轻掺杂N型氮化镓漂移区的上表面。本发明方法可以实现制备更深PN结的结势垒肖特基二极管，避免使用过高的离子注入能量。所形成的P型GaN包裹沟槽的结构，不仅可以实现更深的PN结，也能提高对肖特基接触表面的保护能力，从而提高器件的击穿性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
