| 专利号 | 2019103724722 | 申请日 | 2019-05-06 | 专利名称 | 多壳层量子点CdSe/CdS/In2S3及其制备方法与应用 |
| 授权日 | 2022-03-15 | 专利权人 | 青岛科技大学 | 发明人 | 韩吉姝;刘莹;王磊;赵瑞阳;刘艳茹;陈瑞欣 |
| 主分类号 | C09K11/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多壳层量子点CdSe/CdS/In2S3及其制备方法，所述多壳层量子点CdSe/CdS/In2S3以CdSe为核，通过层层离子吸附的方式由内而外得到CdS壳层和In2S3壳层。与现有技术相比，本发明提供的CdSe/CdS/In2S3 QDs的制备方法中的所用原料易于购买且价格较低，同时制备方法简单，易于操作，便于大规模投入生产。另外，将本发明制备得到的CdSe/CdS/In2S3 QDs作为光催化制氢材料，其制氢效果相较于CdSe QDs和CdS QDs有了较为明显的提高，在7h内的光催化制氢量可以达到928.87μmol，并且该材料在光催化制氢过程中能够保持良好的循环稳定性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进有色金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
